Nuovo appuntamento con la rubrica “TECNOLOGIA“; nell’articolo di questa settimana vi parliamo di una rivoluzione tecnologica della Samsung.

Samsung ha annunciato la dimostrazione del primo computing in-memory al mondo basato su MRAM (Magnetoresistive Random Access Memory).

Con il titolo “A crossbar array of magnetoresistive memory devices for in-memory computing”, l’articolo è frutto delle attività di Samsung tese a combinare le tecnologie di memoria e i semiconduttori di sistema per i chip di intelligenza artificiale di prossima generazione.

La conduzione della ricerca è avvenuta grazie al Samsung Advanced Institute of Technology (SAIT) in stretta collaborazione con la business unit Foundry e il Semiconductor R&D Center di Samsung Electronics.

RIVOLUZIONE SAMSUNG

Il primo autore dell’articolo, il Dr. Seungchul Jung, Staff Researcher al SAIT, e i co-autori, il Dr. Donhee Ham, Fellow del SAIT e professore dell’Università di Harvard, e il Dr. Sang Joon Kim, Vice Presidente of Technology al SAIT, hanno guidato la ricerca.

Nell’architettura standard dei computer – spiega Samsung –, i dati sono immagazzinati in chip di memoria e l’elaborazione dei dati viene eseguita in chip di processamento separati.

Al contrario, l’in-memory computing è un nuovo paradigma informatico che cerca di eseguire sia la memorizzazione che l’elaborazione dei dati in un memory network.

Poiché questo schema può elaborare una grande quantità di dati memorizzati all’interno del network di memoria stesso, senza dover spostare i dati, e siccome tale elaborazione viene eseguita in modo altamente parallelo, il consumo di energia è ridotto in modo sostanziale.

L’in-memory computing – sottolinea Samsung – è quindi emerso come una delle tecnologie promettenti per realizzare la prossima generazione di chip a semiconduttori a basso consumo per l’intelligenza artificiale.

Per questo motivo, la ricerca sull’in-memory computing viene approfondita in maniera intensa in tutto il mondo.

In pratica, i ricercatori sono riusciti a sviluppare un chip MRAM array che dimostra l’in-memory computing; sostituendo l’architettura standard in-memory computing “current-sum” con una nuova architettura “resistance sum”, che risolve il problema delle basse resistenze dei singoli dispositivi MRAM.

I ricercatori hanno anche suggerito che, non solo questo nuovo chip MRAM può essere utilizzato per l’in-memory computing, ma può anche servire come piattaforma per le reti neuronali biologiche.

Appuntamento a giovedì prossimo con la rubrica “TECNOLOGIA”.